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Toshiba hat eine höhere Kapazität seines FeRAM (Ferroelectric RAM) Speicher, der Daten mit der achtfachen Geschwindigkeit seines zuvor detaillierten Prototyps senden und empfangen kann.
FeRAM ist ein relativ neuer Speichertyp, der die Geschwindigkeit von DRAM-Chips kombiniert, die am häufigsten als Hauptspeicher in Computern verwendet werden und die Fähigkeit, Daten bei ausgeschaltetem Strom zu speichern, wie Flash-Speicherchips, die in Mobiltelefonen, Kameras und anderen Geräten verwendet werden. Es wird seit Jahren entwickelt, hat aber noch keine Produktion in großem Maßstab.
Der neue Chip, der auf der Internationalen Halbleiterkonferenz (ISSCC) in San Francisco vorgestellt wird, hat eine Kapazität von 16MBs und eine Lesekapazität / Schreibgeschwindigkeit von 1,6 GB pro Sekunde. Toshiba hat zuletzt den FeRAM-Fortschritt im Jahr 2006 mit einem 4-MB-Chip beschrieben, der eine Datenübertragung von 200 MBit / s bewältigt.
Der in dieser Woche auf ISSCC zu veröffentlichende Chip ist der jüngste in einer Reihe von Prototypen des Unternehmens, die auf ein mögliches hinarbeiten Kommerzialisierung der Technologie. Das Unternehmen hat keine konkreten Pläne, mit der Massenproduktion der Chips zu beginnen, und sagt, dass der Preis eines der größten Hindernisse bleibt.
Zielanwendungen umfassen On-Chip-Cache-Speicher in Halbleitern. Während es schnelles Lesen und Schreiben unterstützt und seinen Inhalt auch bei ausgeschalteter Stromversorgung behalten kann, ist die Gesamtkapazität des Chips mit 16MBs viel niedriger als bei einem herkömmlichen Flash-Speicherchip.
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