SSD oder HDD?
Samsung Electronics und Toshiba haben am Mittwoch bekannt gegeben, dass sie eine neue Spezifikation für den Datenfluss im NAND-Flash-Speicher einführen wollen, um Daten von iPads und iPhones auf SSDs zu speichern (Solid State Drives) in PCs und Rechenzentren.
Die beiden weltweit größten Hersteller von NAND-Flash-Speicherchips haben sich verpflichtet, DDR (Double Data Rate) NAND-Flash-Speicher mit einer 400-Megabit-pro-Sekunde-Schnittstelle zu entwickeln schneller als die 133 Mbps einer früheren Spezifikation für die Technologie und zehnmal schneller als die 40 Mbps-Schnittstelle herkömmlicher NAND-Flash-Chips.
Die Technologie namens Toggle-Mode DDR ist auch eine Konkurrenz zu ONFI (Open NAND Flash Interface)) unterstützt von Intel, Micron Technology a nd SanDisk. Die beiden Technologien zielen auf Hochleistungsprodukte wie SSDs ab, von denen NAND-Flash-Backer eines Tages Festplatten ersetzen wollen.
ONFI kann laut Informationen der ONFI-Website Geschwindigkeiten von 166 Mbps und 200 Mbps liefern.
"Beide Implementierungen zielen auf ähnliche Leistungsniveaus ab", sagte Gregory Wong, CEO des Branchenforschers Forward Insights. "ONFI hat einen Vorsprung, weil es früher etabliert wurde, aber Toggle-Mode DDR ist ein wenig kompatibler mit der Standard-asynchronen Schnittstelle."
Er sagte, die Annahme-Rate der beiden Technologien wird von der Versorgung und seit Samsung beeinflusst werden Toshiba liefert fast 70 Prozent des NAND-Flash-Speichermarktes und kann damit die Akzeptanz von Toggle-Mode DDR steigern.
Jim Handy, Analyst bei Objective Analysis, sagte, dass schnellere Schnittstellen für NAND-Chips wichtig seien wachsende Nutzung für die Datenverarbeitung, und nicht nur Musik, Fotos, Videos und USB-Laufwerke. Die Samsung, Toshiba Ankündigung zeigt, dass die beiden Unternehmen Kompatibilitätsprobleme in Toggle-Modus DDR angehen, fügte er hinzu.
In einer Pressemitteilung, die Unternehmen erwarten, dass die anhaltende Annahme von Smartphones, Tablet-PCs und SSDs die Nachfrage nach einem eine breitere Palette von Hochleistungs-NAND-Chips, und die kontinuierlichen Verbesserungen in der Geschwindigkeit werden zur Schaffung neuer Produkte mit einem NAND-Flash-Speicher führen.
Samsung im letzten Monat eingeführt eine der ersten SSDs, die Toggle-Modus DDR NAND-Flash verwendet Speicher, ein 512 GB Gerät mit einer maximalen Lesegeschwindigkeit von 250 Megabyte pro Sekunde (MBps) und 220 MB / s sequentielle Schreibgeschwindigkeit.
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