CEO Thomas Olemotz: „Bechtle wird ein Global Player“
Intel und Micron haben am Dienstag einen dichteren NAND-Flash-Speicher angekündigt, der dazu beitragen könnte, den Speicherplatz zu reduzieren und gleichzeitig die Speicherkapazität der Unterhaltungselektronik zu erhöhen.
Das neue Speichergerät bietet Platz für drei Datenbits pro Zelle Speicherkapazität von etwa 64 Gigabit, was etwa 8 GB ist. Die Firmen nannten den neuen Speicher ihr bisher kleinstes NAND-Gerät.
Die Fähigkeit, drei Bits pro Zelle zu speichern, ist eine Verbesserung gegenüber herkömmlichem Flash-Speicher, der etwa ein oder zwei Bits pro Zelle speichern kann. Die neue Technologie werde dazu beitragen, mehr Speicherplatz in kleinere Räume zu stopfen, sagten die Unternehmen.
Geräte wie Digitalkameras und tragbare Media-Player, die NAND-Flash verwenden, werden immer kleiner, so die Unternehmen. Der Fortschritt könnte auch dazu beitragen, Speicher zu wettbewerbsfähigen Preisen bereitzustellen und gleichzeitig die Herstellungskosten zu senken.
Die Unternehmen senden Muster an die Kunden und erwarten, dass der Speicher bis Ende des Jahres in Massenproduktion sein wird. Der Speicher wird im 25-Nanometer-Verfahren hergestellt.
Das Gerät ist etwa 20 Prozent kleiner als der NAND-Flash-Speicher mit zwei Bits pro Zelle - auch Multilevel Cell (MLC) NAND genannt) "Wir erhöhen die Anzahl der Bits pro Zelle und können so unsere Kosten senken und unsere Kapazität erhöhen", sagte Kevin Kilbuck, Direktor von NAND strategisches Marketing bei Micron, in einem Video auf Microns Blog-Seite.
Die erhöhte Dichte bringt jedoch einige Kompromisse mit sich.
"Die Leistung und die Ausdauer gemessen in der Anzahl der Male, die Sie das NAND programmieren können … degradieren, wenn Sie die Anzahl der Bits pro Zelle erhöhen ", sagte Kilbuck.
Die Ankündigung folgt auf die Ankündigung von Intel und Micron im Februar, dass sie MLC-NAND-Flash mit dem 25-nm-Prozess abtasten. Zu dieser Zeit sagten die Firmen, dass die Erinnerung im zweiten Quartal in die Massenproduktion gehen würde. Intel bietet derzeit die X25-Reihe von Solid-State-Laufwerken an, die auf Flash-Speicher basieren, der mit dem 34-nm-Prozess hergestellt wurde.
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