CAPITAL BRA - ONE NIGHT STAND (PROD.BY THE CRATEZ & DANNYEBTRACKS)
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Qualcomm hat den Start von Snapdragon 835 angekündigt, dem Nachfolger von Snapdragon 821, der mit 2, 35 GHz arbeitet. Gleichzeitig kündigte das Unternehmen die kommende Quick Charge 4-Technologie an, mit der Benutzer ihre Geräte innerhalb von 5 Minuten 5 Stunden lang aufladen können.
Das Unternehmen konzentriert sich auf die Verbesserung der Akkulaufzeit und der Ladetechnologie, da viele Käufer heutzutage beim Kauf eines Telefons nach besseren Akku- und Schnelllademöglichkeiten suchen.
Laden Sie Ihr Telefon 5 Stunden in 5 Minuten auf
Das in den USA ansässige multinationale Unternehmen hat außerdem die Quick Charge 4-Technologie sowie den neuen Prozessor vorgestellt, mit dem Ihr Gerät nach eigenen Angaben 5 Stunden Akkulaufzeit in 5 Minuten aufladen kann.
Die neue Ladetechnologie arbeitet 20% schneller und 30% effizienter als Quick Charge 3. Dies bedeutet nicht, dass sich Ihr Gerät auch schnell aufheizt, da die neue Technologie bei 5 ° C kühleren Temperaturen funktioniert.
Die Schnellladung 4 hilft Ihrem Gerät auch, 50% des Akkus in 15 Minuten oder weniger aufzuladen.
Dies ist ganz klar ein geringerer Prozentsatz im Vergleich zur OnePlus Dash-Ladetechnologie, die bereits seit mehreren Monaten auf dem Markt ist.
Im Folgenden finden Sie einige der Funktionen, die Quick Charge 4 gegenüber seinen Vorgängern bietet.
- USB-Typ-C- und USB-Stromversorgung: In dem Bestreben, die Massen mit Schnelllademöglichkeiten zu versorgen, hat Qualcomm die Quick Charge 4-Adapter standardisiert, sodass sie mehrere Geräte unterstützen können.
- Batteriesparfunktion: Zur Verlängerung der Batterielebensdauer und zum Schutz von Batterie, System, Kabel und Anschluss durch Messen von Spannungsstrom und Temperatur.
- Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV): Dies ist ein Algorithmus, mit dessen Hilfe das System die optimale Leistungsübertragung ermittelt und gleichzeitig den Wirkungsgrad maximiert. Dies schützt das Telefon vor Überhitzung durch Spannungsspitzen während des Ladevorgangs.
- Dual Charge: Diese Technologie ermöglicht ein schnelles Laden durch effiziente Wärmeableitung.
Snapdragon wird mit dem 835-Chipsatz noch schneller
Das Unternehmen hat sich mit Samsung zusammengetan, um sein nächstes Flaggschiff-SoC zu entwickeln. Der Snapdragon 835 wird auf dem 10-nm-FinFET-Knoten von Samsung basieren, der 40 Prozent weniger Strom verbraucht, wodurch sich die Gesamtleistung des Prozessors im Vergleich zu seinen Vorgängern um 27 Prozent verbessert.
Der 10-nm-FinFET-Knoten ermöglicht aufgrund seiner geringeren Größe im Vergleich zu dem zuvor verwendeten 14-nm-Knoten auch einen Flächenwirkungsgrad von 30%.
Die geringere Größe beeinträchtigt die Leistung nicht, sondern gibt den Chipsatzherstellern mehr Platz, um zusätzliche Funktionen hinzuzufügen oder das Gerät einfach schlanker zu machen.
Qualcomms Snapdragon 835 und Quick Charge 4 werden voraussichtlich Ende des zweiten Quartals 2017 verfügbar sein.
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